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半导体行业用10000目白刚玉微粉

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  • 什么是白刚玉微粉?

成分:主要成分是α-氧化铝(α-Al₂O₃),由优质氧化铝粉经高温熔炼后冷却制得。

特性

高硬度:莫氏硬度达到9,仅次于金刚石和碳化硅,研磨效率高。

高纯度:半导体级要求极高,通常要求Al₂O₃含量 > 99.6%,甚至99.9%以上,严格控制Fe、Si、Na等磁性物质和重金属杂质含量。

良好的化学稳定性:在酸、碱环境中性质稳定,不易与被加工材料发生化学反应。

锋利的棱角:颗粒具有多角形结构,在研磨和抛光过程中能产生有效的微切削作用。

可控的粒度分布:可以通过精密的分级技术得到粒度分布极窄的微粉,确保加工表面
的均匀性。

化学成分

Al2O3 Fe2O3 Na2O MgO K2O CaO SiO2
    ≥ 99.50% ≤0.05% ≤0.26% ≤0.01% ≤0.02% ≤0.04% ≤0.06%

 
物理特性

莫氏硬度 比重 堆积密度 PH值 耐火度
9.0 ≥3.90g/cm3 1.75-1.95g/cm3 7.0 2100℃

二、在半导体行业中的主要应用

白刚玉微粉主要用于晶圆制造的后道工序,即晶圆成型后的表面加工处理。

--晶圆研磨(Wafer Lapping & Grinding)

目的:在晶圆切片后,去除切片造成的表面损伤层和变形,并精确控制晶圆的厚度和平整度(TTV、Bow、Warp)。

如何使用:将白刚玉微粉与冷却液(通常是水或油基)混合制成研磨液(Slurry),通过研磨机对晶圆表面进行机械研磨。在这里,白刚玉主要发挥其高硬度和切削力

--晶圆抛光(Wafer Polishing)

目的:在研磨之后,进一步去除微小的表面缺陷,获得超平坦、无损伤的完美镜面,为光刻等后续工艺提供基础。抛光分为粗抛(CMP前)和精抛。

如何使用:同样以抛光液的形式使用。虽然最终的精抛(CMP)通常使用胶体二氧化硅,但白刚玉微粉因其出色的切削能力,常被用于粗抛阶段,快速去除研磨留下的较深损伤层。

--芯片减薄(Die Backgrinding)

目的:在晶圆上制造出成千上万个芯片(Die)后,为了满足封装超薄化的要求(如智能手机),需要将晶圆背面磨薄。

如何使用:将晶圆背面贴在胶膜上,使用含有白刚玉微粉的金刚石砂轮进行高速磨削。白刚玉是制造这些金刚石砂轮的重要辅助磨料,能增强其磨削效能。
 

其他应用

石英坩埚与石墨件加工:用于制造单晶硅的石英坩埚和石墨热场,在生产前后都需要进行打磨和清理,白刚玉微粉是理想的磨料。

精密零部件清洗:用于对精密零部件进行喷砂处理,去除表面氧化物和污染物而不损伤基体。

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